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Institute for Design Problems in Microelectronics

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Institute for Design Problems in Microelectronics, Forschungsinstitut in Moskau, Russland.

Das Institut für Designprobleme der Mikroelektronik ist eine Forschungseinrichtung in Moskau, die sich auf die Automatisierung von Nano- und Mikroelektronik-Design konzentriert. Die Labore sind mit spezialisierter Ausrüstung ausgestattet, um Forschung auf diesem Gebiet zu unterstützen.

Das Institut wurde 1986 gegründet und gehört zur Russischen Akademie der Wissenschaften. Es operiert unter dem Dach des Nationalen Forschungszentrums Kurchatov Institut, das den Rahmen für seine wissenschaftliche Arbeit bildet.

Das Institut prägt den wissenschaftlichen Austausch durch regelmäßige Konferenzen und Wettbewerbe, bei denen Forscher aus verschiedenen Regionen zusammenkommen. Diese Veranstaltungen haben sich zu wichtigen Treffpunkten für Fachleute entwickelt, die an Halbleitertechnologie arbeiten.

Das Institut befindet sich in einem speziellen Forschungsgebiet Moskaus und ist mit modernen Laboreinrichtungen ausgestattet. Besucher sollten sich bewusst sein, dass es sich um eine Forschungseinrichtung mit eingeschränktem Zugang handelt und vorherige Absprachen notwendig sind.

Das Institut arbeitet mit 11 Technologieunternehmen zusammen, um ein Mikroelektronik-Designzentrum mit vollständigem Produktionszyklus zu schaffen. Ein Team von etwa 50 Wissenschaftlern und Ingenieuren entwickelt dort innovative Lösungen für die Halbleiterindustrie.

Ort: Moscow

Gründung: 1986

Website: http://ippm.ru

GPS Koordinaten: 55.97806,37.16944

Neueste Aktualisierung: 14. Dezember 2025 um 16:01

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